Kontrolkirina germahî û nermbûnê ya otomatîkî
Germahî û nemahiya jûreya paqij bi giranî li gorî hewcedariyên pêvajoyê têne destnîşankirin, lê bi şertê ku hewcedariyên pêvajoyê bêne bicîh kirin, divê rehetiya mirovî li ber çavan were girtin.Bi zêdebûna hewcedariyên paqijiya hewayê re, meylek heye ku pêvajo li ser germahî û nemiyê hewcedariyên hişktir û hişktir heye.
Her ku rastbûna makîneyê hûr û hûrtir dibe, hewcedariyên ji bo rêza guheztina germahiyê piçûktir û piçûktir dibin.Mînakî, di pêvajoya vekêşana lîtografî ya hilberîna dorhêla yekbûyî ya mezin de, ferqa di navbera hevbera berfirehbûna germî ya camê û silicon wafer de wekî materyalê diafragmê pêdivî ye ku piçûktir û piçûktir be.Dema ku germahî bi 1 dereceyê bilind bibe, waferek silicon a bi pîvana 100μm dê bibe sedema berbelavbûnek rêzikî ya 0,24μm.Ji ber vê yekê, pêdivî ye ku germahiya wê ya ± 0,1 derece be.Di heman demê de, bi gelemperî pêdivî ye ku nirxa şilbûnê kêm be, ji ber ku piştî ku mirov ter dike, hilber dê qirêj bibe, nemaze Ji bo atolyeyên nîvconductor ku ji sodyûmê ditirsin, ev celeb atolyeya paqij divê ji 25 dereceyan derbas nebe.
Nemiya zêde dibe sedema zêdetir pirsgirêkan.Dema ku nemahiya têkildar ji% 55 derbas bibe, dê li ser dîwarê lûleya ava sarbûnê de kondensasyon çêbibe.Ger ew di amûrek an çerxek rast de çêbibe, ew ê bibe sedema qezayên cihê.Dema ku nemahiya nisbî 50% be xitimandin hêsan e.Digel vê yekê, dema ku nembûn pir zêde be, toza li ser rûbera wafera silicon dê ji hêla molekulên avê yên li hewayê ve ji hêla kîmyewî ve were veguheztin, ku rakirina wê dijwar e.Çiqas ku şiliya nisbî bilindtir bibe, rakirina adhesionê ew qas dijwartir e, lê gava ku şiliya nisbî ji %30 kêmtir be, ji ber çalakiya hêza elektrostatîk, û hejmareke mezin ji nîvconductor, pîç jî bi hêsanî li ser rûyê erdê têne kişandin. cîhazên mêldarê ji bo şikandina in.Rêjeya germahiya çêtirîn ji bo hilberîna wafera silicon% 35 ~ 45% e.
